رسانندگی ناشی از تونل زنی در اتصالات پایه گرافن تحت کشش

thesis
abstract

در این تحقیق ما براساس نطریه ی btk ، رسانندگی ناشی از تونل زنی را در پیوندهای گرافن تحت کشش تک محوری مورد بررسی قرار می دهیم. با استفاده از مدل تنگ بست با تحت کشش قرار دادن صفحه گرافن حامل های بار در آن به صورت فرمیون های دیراک بدون جرم و نامتقارن ظاهر می شوند. درنتیجه سرعت حامل های بار به جهت حرکت آنها بستگی پیدا می کند. از طریق نشست ابررسانا بر روی گرافن تحت کشش تک محوری، گرافن با جفت های کوپر بدست آمده از الکترون های نامتقارن ویل- دیراک یعنی فرمیون های بدون جرم، به گرافن ابررسانا تبدیل می شود. سرعت نامتقارن بالا، ممکن است به وسیله ی کشش در جهت زیگزاگ نزدیک نقطه ی گذار بین گرافن گاف دار و گرافن بدون گاف ایجاد شود. در سرعت نامتقارن بالا، بازتاب آندریف تا حد زیادی به جهت وابسته است و جریان عمود بر جهت کشش می تواند به راحتی و به صورتی که انگار هیچ مانعی ( صفحه عایق) وجود ندارد از میان پیوند شارش یابد. نیز جریان موازی با جهت کشش به صورت ناهنجار به عنوان تابعی از ولتاژ مدخل و با فرکانس بالا نوسان می کند.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

جریان جوزفسون در اتصالات پایه گرافن تحت کشش

گرافن بدلیل داشتن ویژگی های منحصر بفرد در سالهای اخیر موضوع مهم تحقیقات قرار گرفته است. چنین خصوصیاتی این ماده را بعنوان نامزدی برای کاربرد در کارهای آتی در الکترونیک مطرح می کند. گرافن اولین مثال از یک بلور دو بعدی واقعی است و این ماده پل جدیدی بین فیزیک ماده چگال و نظریه میدان های کوانتومی است. تک لایه گرافن بصورت نیمه رسانا بدون گاف انرژی و طیف انرژی خطی، دستگاه دو بعدی از فرمیونهای دیراک بد...

تونل زنی ناشی از انعکاس مجازی آندریف در ساختار گرافین تحت کشش

گرافین سختترین ماده ای است که تاکنون بشر بدان دست یافته است و از جمله خصوصیات الاستیکی، اپتیکی و الکترونیکی آن به طور قوی با یک کشش تک محوری کاهش می یابد. خصوصیات الکترونیکی گرافین بوسیله کشش به ارتباط بین خصوصیات مکانیکی و الکترونیکی منجر می شود. گرافین تحت کشش در جهت زیگزاگ گافدار و در جهت آرمچیر بدون گاف می باشد. گرافین گافدار در صنعت کاربرد فراوانی دارد بنابراین با اعمال کشش سعی در گافدار ک...

تونل زنی کلین در ساختار فرومغناطیس-گرافن

با استفاده از معادله دیراک دوبعدی جرم دار حل دقیقی برای احتمال عبور مربوط به تونل زنی کلین فرمیون های دیراک از میان سد دوبعدی در گرافن تک لایه را بدست می اید. و معلوم می شود که بر خلاف تونل زنی فرمیون های دیراک بدون جرم که عبور کامل را برای ذرات فرودی عمودی نتیجه می دهد، احتمال عبور ، به غیر از بعضی شرایط تشدید که سد پتانسیل کاملاَ شفاف کاملاَ عمل می کند، در این مورد، کمتر از یک و وابسته به شاخص ...

محاسبه رسانندگی و زمان مشخصه تونل زنی الکترون از پیوندگاه فلز – مولکول (پلی استیلن) در یک سیم مولکولی

در این مقاله در چارچوب مدل بستگی قوی و یک روش تابع گرین تعمیم یافته و همچنین استفاده از الگوریتم lanczos آثار مربوط به قدرت پیوند گاه فلز - مولکول (mmc) بر گسیل الکترون از طریق یک سیستم فلز - تک مولکول - فلز (mmm) بررسی می شود. با کاربرد روش لانداور (landauer) برخی از خواص رسانندگی مهم این سیستم را به عنوان یک سیم مولکولی نیز مطالعه می کنیم. نتایج ما نشان می دهند که رسانندگی سیم مولکولی به صورت...

full text

اثر کشش در رسانندگی ابرشبکه گرافین

هدف از پژوهش حاضر، بررسی اثر کرنش در رسانندگی اسپین وبار در ساختارgmr پایه گرافینی است.این ابزار، از سه لایه ساخته می شود، به این صورت که یک لایه گرافین کرنش درمیان دولایه ی گرافین مغناطیسی قرارداده می شود .ساختارهای موازی وپادموازی دو لایه ی فرومغناطیس موردتوجه قرارگرفته ورسانندگی بارواسپین دراین ساختار مورد مطالعه قرار گرفته است. یافته های این پژوهش نشان می دهد که برای تبادل انرژیهای معین با ...

15 صفحه اول

مشخصه جریان- ولتاژ یک دیود تونل زنی تشدیدی تحت تابش موج الکترومغناطیسی

 In this paper, current-voltage characteristic of a resonant tunneling diode under electromagnetic radiation has been calculated and compared with the results when there is no electromagnetic radiation. For calculating current -voltage characteristic, it is required to calculate the transmission coefficient of electrons from the well and barrier structures of this device. For calculating the tr...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم

Keywords

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023